曾祥斌

编辑:美高梅游戏官网 时间:2017-03-08

曾祥斌


姓名:曾祥斌

职称:教授

专业方向:微电子学系

研究所(实验室):光电器件与信息系统集成

学习工作经历

1984年在西安交通大学获学士学位,1987年在美高梅游戏官网娱乐获硕士学位,2001年在美高梅游戏官网娱乐获博士学位。

199810199910 在香港科技大学做访问研究。

200112200312在新加坡南洋理工大学和新加坡制造技术研究院从事博士后研究工作。

200312至今在美高梅游戏官网娱乐工作。

研究领域:

1,微纳电子技术。微纳米器件的设计、制备与应用。

2,二维半导体材料与器件。大面积二维材料的合成技术与掺杂技术,新型器件的结构设计,新型器件奇异特性研究,基于二维半导体材料逻辑电路设计与制备。

3,新型太阳能电池。异质结电池,二维化合物半导体太阳能电池的设计与制备。

4,新型平板显示技术(AMLCDOLED)。新型化合物半导体TFT的设计与制备,柔性显示用TFT的设计与制备。

个人概况:

从事微电子器件与技术教学与研究多年,主持参加863重大专项、重点、面上项目,国家自然科学重点基金,国家自然科学基金,湖北省重点基金,教育部支撑计划,武器装备预先研究项目,粤港关键领域招标项目,广东省产学研重点项目,深圳市基础研究计划,福建省重大科技进步计划等项目的研究开发,发表论文200余篇,参与编写可再生能源专著2本,申请发明专利50余项。获得江苏省2013年“双创人才”和创新团队人才,获得教育部科技进步二等奖。主讲半导体物理、固体物理、微电子器件与IC设计、微制造物理与技术、太阳能电池、平板显示技术、光纤通信原理、TFTLCD原理与技术等本科生研究生课程多年,曾获得省教学成果二等奖,学校教学质量二等奖多次,安捷伦全国论文大赛三等奖,湖北省优秀硕士生导师。

成功研制出a-Si TFT有源矩阵及彩色液晶显示器,其TFT的通断电流比高达107,实现了彩色图像的视频动态显示。成功研制出光电转换效率达11.48%的非晶硅薄膜叠层太阳能电池。在国家863计划“高清晰度平板显示技术”重大专项课题的科研工作中,与清华大学和南开大学一起研制出国内第一块全彩色AM-OLED显示屏,实现了OLED彩色视频图像的动态显示。主持完成武器装备预先研究项目“铁电薄膜材料技术”的课题研究,研制出介电热辐射计式钛酸锶钡(BST)铁电薄膜和BST非致冷型红外焦平面阵列。提出两步激光晶化方法获得大晶粒多晶硅薄膜,采用微波晶化、金属诱导晶化获得低温多晶硅薄膜与薄膜晶体管;制备出高效率硅基异质结太阳能电池,并采用纳米薄膜、量子点技术、背场技术、减反膜技术提高电池性能。制备出准单晶ZnO薄膜和高透明、高电导率ZnO:AlBZO薄膜。获得二维半导体材料的生长规律,采用CVD和激光法研制出大面积可控层状半导体。采用有效等离子法实现二维半导体的低损失、可控、大面积掺杂,设计并制备出基于二维半导体的FETBJT、光电探测器、异质结太阳能电池和与非门等逻辑电路以及BJT放大电路。

联系方式:

Email:eexbzeng@mail.hust.edu.cn

办公地点:美高梅游戏大楼B403

发表的代表性论文:

[1]Room temperature magnetoelectric coupling study in multiferroic Bi4NdTi3Fe0.7Ni0.3O15 prepared by a multicalcination procedure, Ceramics International, 201440: 6815-6819.

[2] An approach for improving the carriers transport properties of a-Si: H/c-Si heterojunction solar cells with efficiency of more than 27%. Solar Energy, 201396168-176.

[3]Structural evolution and photoluminescence of annealed Si-rich nitride with Si quantum dots prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition, Journal of Applied Physics, 2014115: 154314.

[4]Room temperature multiferroic properties of Ni-doped Aurivillus phase Bi5Ti3FeO15, Ceramics International, 201440: 2635-2639.

[5]Crystallization mechanism of silicon quantum dots upon thermal annealing of hydrogenated amorphous Si-rich silicon carbide films, Thin Solid Films, 2014,552(3):18-23.

[6]Photoluminescence properties and crystallization of silicon quantum dots in hydrogenated amorphous Si-rich silicon carbide films, Journal of Applied Physics, 2014115: 164303.

[7] Effect of Mo concentration on shape and size of monolayer MoS2 crystals by chemical vapor deposition. Journal of Physics D: Applied Physics, 2017,50(39): 5501-5501.

[8]Boron-doped zinc oxide thin films grown by metal organic chemical vapor deposition for bifacial a-Si: H/c-Si heterojunction solar cells.Thin Solid Films 2016605 : 257-262.

[9] Photoluminescence and carrier transport mechanisms of silicon-richsilicon nitride light emitting deviceApplied Surface Science, 2015351 10531059

[10]Characteristics and Charge Storage of Silicon Quantum Dots Embedded in Silicon Nitride Film. Journal of Electronic Materials2015 44 (3): 1015.

[11]Charging/discharging behavior and mechanism of silicon quantum dots embedded in amorphous silicon carbide films. Journal of Applied Physics 2015117 (2): 024304.

[12]The influence of annealing temperature on the synthesis of silicon quantum dots embedded in hydrogenated amorphous Si-rich silicon carbide matrixJournal of Non-Crystalline Solids,20164411015

[13]The Synthesis and Structural Properties of Crystalline Silicon Quantum Dots upon Thermal Annealing of Hydrogenated Amorphous Si-Rich Silicon Carbide FilmsJournal of electronic materials, 2016458):4432-4440

[14] Molten salt synthesis and magnetic anisotropy of multiferroic Bi4NdTi3Fe0.7Ni0.3O15 ceramics. Journal of Alloys and Compounds,2017, 639: 448-453.

[15] The Morphological Control of MoS2 Films Using a Simple Model under Chemical Vapor Deposition.Thin Solid Films. 2018, 666(30): 150-155

[16] High-performance P-Type MoS2 Field-Effect Transistor by Toroidal-Magnetic-Field Controlled Oxygen Plasma Doping 2D materials, 201960250071-10

[17] Preparation of controllable-thickness 1T@2H-MoS2 thin films by pulsed laser-induced synthesis and the selective separation of the 1T phase. Journal of Materials Chemistry C, 2018, 6(11651): 11651-11658.

[18] Investigation of the Growth Process of Continuous Monolayer MoS2 Films Prepared by Chemical Vapor DepositionJournal of electronic materials, 2018479):5509-5517


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